Dual P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments BQ500101DPCT

RS tilauskoodi: 133-0142Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: BQ500101DPCT
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Width

3.6mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

4.6mm

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.24V

Tuotetiedot

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,34

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,422

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments BQ500101DPCT
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,34

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,422

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments BQ500101DPCT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Width

3.6mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

4.6mm

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.24V

Tuotetiedot

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja