N-Channel MOSFET, 3.5 A, 12 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD13306WT

RS tilauskoodi: 900-9927Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD13306WT
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

DSBGA

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

15.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.9 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.6 nC @ 0 V

Width

1.49mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Height

0.28mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,762

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,945

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.5 A, 12 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD13306WT

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,62
20€ 9,82
30€ 14,73
40€ 19,64
50€ 23,75
60€ 28,50
70€ 33,25
80€ 38,00
90€ 42,75
100€ 38,10
110€ 41,91
120€ 45,72
130€ 49,53
140€ 53,34
150€ 57,15

€ 0,762

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,945

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.5 A, 12 V, 6-Pin DSBGA Texas Instruments CSD13306WT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,62
20€ 9,82
30€ 14,73
40€ 19,64
50€ 23,75
60€ 28,50
70€ 33,25
80€ 38,00
90€ 42,75
100€ 38,10
110€ 41,91
120€ 45,72
130€ 49,53
140€ 53,34
150€ 57,15

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 10€ 0,762€ 7,62
20 - 40€ 0,491€ 4,91
50 - 90€ 0,475€ 4,75
100 - 240€ 0,381€ 3,81
250+€ 0,341€ 3,41

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

DSBGA

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

15.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

1.9 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.6 nC @ 0 V

Width

1.49mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Height

0.28mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja