N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T

RS tilauskoodi: 823-9231PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD13381F4T
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.1 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.06 nC @ 4.5 V

Width

0.64mm

Transistor Material

Si

Series

FemtoFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.35mm

Tuotetiedot

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,336

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,417

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,336

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,417

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.1 A, 12 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD13381F4T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 20€ 0,336€ 6,72
40 - 80€ 0,216€ 4,32
100 - 480€ 0,119€ 2,38
500 - 980€ 0,105€ 2,10
1000+€ 0,091€ 1,82

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.1 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.06 nC @ 4.5 V

Width

0.64mm

Transistor Material

Si

Series

FemtoFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.35mm

Tuotetiedot

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja