N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5C

RS tilauskoodi: 827-4694Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD16322Q5C
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.8 nC @ 4.5 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.05mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,704

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,873

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5C

5

Pakkauskoko 5
5€ 3,52
10€ 7,04
15€ 10,56
20€ 14,08
25€ 17,60
30€ 21,12
35€ 24,64
40€ 28,16
45€ 31,68
50€ 35,20
55€ 38,72
60€ 42,24
65€ 45,76
70€ 49,28
75€ 52,80

€ 0,704

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,873

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16322Q5C
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 3,52
10€ 7,04
15€ 10,56
20€ 14,08
25€ 17,60
30€ 21,12
35€ 24,64
40€ 28,16
45€ 31,68
50€ 35,20
55€ 38,72
60€ 42,24
65€ 45,76
70€ 49,28
75€ 52,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.8 nC @ 4.5 V

Width

5.1mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.05mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja