N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16340Q3

RS tilauskoodi: 827-4732Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD16340Q3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16340Q3
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 60 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16340Q3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 1,35€ 6,75
50 - 95€ 1,05€ 5,25
100 - 245€ 0,822€ 4,11
250 - 495€ 0,766€ 3,83
500+€ 0,72€ 3,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 4.5 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja