N-Channel MOSFET, 79 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16406Q3

RS tilauskoodi: 914-2939Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD16406Q3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 4.5 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Series

NexFET

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,863

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,07

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 79 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16406Q3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,863

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,07

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 79 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16406Q3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,863€ 8,63
100 - 240€ 0,62€ 6,20
250 - 490€ 0,582€ 5,82
500 - 740€ 0,545€ 5,45
750+€ 0,536€ 5,36

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 4.5 V

Width

3.4mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Series

NexFET

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja