N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,546
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,677
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,546
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,677
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.