N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SON Texas Instruments CSD17313Q2

RS tilauskoodi: 827-4849Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD17313Q2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Width

2mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.8mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,476

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,59

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SON Texas Instruments CSD17313Q2

€ 0,476

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,59

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SON Texas Instruments CSD17313Q2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,476€ 4,76
50 - 190€ 0,356€ 3,56
200 - 490€ 0,27€ 2,70
500+€ 0,264€ 2,64

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Width

2mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.8mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja