N-Channel MOSFET, 155 A, 40 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD18501Q5A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
155 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,50
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,86
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
€ 1,50
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,86
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,50 | € 7,50 |
| 50 - 95 | € 1,20 | € 6,00 |
| 100+ | € 0,964 | € 4,82 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
155 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.