N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD18502Q5B

RS tilauskoodi: 827-4870PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18502Q5B
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

204 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

VSON-CLIP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,55

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 3,162

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD18502Q5B
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,55

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 3,162

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 204 A, 40 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD18502Q5B
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 20€ 2,55€ 12,75
25 - 45€ 2,40€ 12,00
50 - 120€ 2,20€ 11,00
125 - 245€ 1,95€ 9,75
250+€ 1,85€ 9,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

204 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

VSON-CLIP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja