Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A

RS tilauskoodi: 827-4883PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18504Q5A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 31,25

€ 1,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 39,22

€ 1,569 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A
Valitse pakkaustyyppi

€ 31,25

€ 1,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 39,22

€ 1,569 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
25 - 45€ 1,25€ 6,25
50 - 120€ 1,15€ 5,75
125 - 245€ 1,00€ 5,00
250+€ 0,973€ 4,86

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja