N-Channel MOSFET, 69 A, 60 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD18534Q5A

RS tilauskoodi: 827-4896PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18534Q5A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

69 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

12.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,988

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,225

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 69 A, 60 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD18534Q5A
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,988

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,225

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 69 A, 60 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD18534Q5A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 20€ 0,988€ 4,94
25 - 45€ 0,692€ 3,46
50 - 245€ 0,605€ 3,02
250 - 495€ 0,521€ 2,60
500+€ 0,462€ 2,31

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

69 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

12.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja