N-Channel MOSFET, 279 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18535KTTT

RS tilauskoodi: 133-0152Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18535KTTT
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

279 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

NexFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,80

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,712

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 279 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18535KTTT
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,80

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,712

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 279 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18535KTTT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 3,80€ 7,60
10+€ 2,10€ 4,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

279 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

NexFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja