N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT

RS tilauskoodi: 133-0153Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18536KTTT
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

349 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

230 nC @ 10 V

Width

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,20

kpl (ilman ALV)

€ 6,45

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT
Valitse pakkaustyyppi

€ 5,20

kpl (ilman ALV)

€ 6,45

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 5,20
10 - 49€ 4,55
50 - 249€ 3,95
250 - 499€ 3,25
500+€ 2,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

349 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

230 nC @ 10 V

Width

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja