N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18563Q5A

RS tilauskoodi: 827-4909Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD18563Q5A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,10

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18563Q5A
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,10

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD18563Q5A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 1,10€ 5,50
25 - 95€ 0,98€ 4,90
100 - 245€ 0,855€ 4,28
250 - 495€ 0,799€ 4,00
500+€ 0,755€ 3,78

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja