N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19531KCS
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,90
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,356
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 1,90
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,356
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,90 | € 9,50 |
| 50 - 95 | € 1,50 | € 7,50 |
| 100 - 245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 250 - 495 | € 1,10 | € 5,50 |
| 500+ | € 1,05 | € 5,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
214 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.