N-Channel MOSFET, 53 A, 100 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD19537Q3T

RS tilauskoodi: 133-0155Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD19537Q3T
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,86

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 53 A, 100 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD19537Q3T
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,86

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 53 A, 100 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD19537Q3T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 10€ 1,50€ 7,50
15 - 45€ 1,30€ 6,50
50 - 245€ 1,10€ 5,50
250 - 495€ 0,888€ 4,44
500+€ 0,786€ 3,93

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja