P-Channel MOSFET, 76 A, 20 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD25402Q3A

RS tilauskoodi: 208-8491Tuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD25402Q3A
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8900000 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.65V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,451

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,559

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 76 A, 20 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD25402Q3A

€ 0,451

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,559

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 76 A, 20 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD25402Q3A
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

76 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8900000 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.65V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja