N-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD83325LT

RS tilauskoodi: 900-9942PTuotemerkki: Texas InstrumentsValmistajan osanumero.: CSD83325LT
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Width

2.2mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.2mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,572

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,718

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD83325LT
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,572

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,718

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD83325LT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

PICOSTAR

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Width

2.2mm

Transistor Material

Si

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.2mm

Tuotetiedot

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja