P-Channel MOSFET, 2.3 A, 15 V, 8-Pin SOIC Texas Instruments TPS1101D
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
791 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +2 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
4.9mm
Width
3.91mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
1.58mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,85
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,534
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 2,85
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,534
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 120 | € 2,85 | € 14,25 |
| 125 - 495 | € 2,30 | € 11,50 |
| 500 - 1245 | € 2,05 | € 10,25 |
| 1250 - 2495 | € 1,60 | € 8,00 |
| 2500+ | € 1,45 | € 7,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
791 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +2 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
4.9mm
Width
3.91mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
1.58mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.