Toshiba 2SJ P-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 2SJ305(F)

RS tilauskoodi: 601-1905Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: 2SJ305(F)
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

2SJ

Package Type

SOT-346

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.9mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,10

€ 0,41 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,15

€ 0,515 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba 2SJ P-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 2SJ305(F)

€ 4,10

€ 0,41 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,15

€ 0,515 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba 2SJ P-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 2SJ305(F)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,41€ 4,10
100 - 240€ 0,315€ 3,15
250 - 490€ 0,304€ 3,04
500 - 990€ 0,299€ 2,99
1000+€ 0,29€ 2,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

2SJ

Package Type

SOT-346

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.9mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja