P-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ)

RS tilauskoodi: 415-174Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: 2SJ668(TE16L,NQ)
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PW Mold

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.3mm

Tuotetiedot

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,725

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,899

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ)
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,725

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,899

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,725€ 7,25
50 - 190€ 0,565€ 5,65
200 - 490€ 0,493€ 4,93
500 - 990€ 0,465€ 4,65
1000+€ 0,453€ 4,53

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PW Mold

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.3mm

Tuotetiedot

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja