Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold2 2SK4017(Q)
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PW Mold2
Series
2SK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Height
5.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 5,52
€ 0,276 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,93
€ 0,346 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
20
€ 5,52
€ 0,276 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,93
€ 0,346 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,276 | € 5,52 |
| 60 - 100 | € 0,242 | € 4,84 |
| 120 - 220 | € 0,207 | € 4,14 |
| 240 - 460 | € 0,202 | € 4,04 |
| 480+ | € 0,197 | € 3,94 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PW Mold2
Series
2SK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Height
5.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.