Toshiba GT60J323(Q) IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-3PLH
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,50
€ 6,50 kpl (ilman ALV)
€ 8,16
€ 8,16 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 6,50
€ 6,50 kpl (ilman ALV)
€ 8,16
€ 8,16 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 24 | € 6,50 |
| 25 - 99 | € 5,10 |
| 100 - 249 | € 4,45 |
| 250 - 499 | € 4,15 |
| 500+ | € 4,05 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-3PLH
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.