Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J351R,LF(T

RS tilauskoodi: 236-3571PTuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM3J351R,LF(T
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.29e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 30,70

€ 0,307 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 38,53

€ 0,385 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J351R,LF(T
Valitse pakkaustyyppi

€ 30,70

€ 0,307 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 38,53

€ 0,385 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3J351R,LF(T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 200€ 0,307€ 15,35
250 - 450€ 0,302€ 15,10
500 - 950€ 0,295€ 14,75
1000+€ 0,278€ 13,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.29e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja