Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4e+008 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 357,00
€ 0,119 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 448,04
€ 0,149 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 357,00
€ 0,119 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 448,04
€ 0,149 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4e+008 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.