Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T

RS tilauskoodi: 236-3573Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM3J356R,LF(T
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,75

€ 0,195 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 12,24

€ 0,245 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T
Valitse pakkaustyyppi

€ 9,75

€ 0,195 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 12,24

€ 0,245 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba Silicon P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 50€ 0,195€ 9,75
100 - 200€ 0,174€ 8,70
250 - 450€ 0,17€ 8,50
500 - 950€ 0,167€ 8,35
1000+€ 0,156€ 7,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4e+008 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja