N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Toshiba SSM3K09FU

RS tilauskoodi: 171-2396Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM3K09FU
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

150 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.25mm

Height

0.9mm

Alkuperämaa

Thailand

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,171

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,212

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Toshiba SSM3K09FU

€ 0,171

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,212

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 Toshiba SSM3K09FU
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
3000 - 3000€ 0,171€ 513,00
6000 - 6000€ 0,164€ 492,00
9000+€ 0,156€ 468,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

150 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.25mm

Height

0.9mm

Alkuperämaa

Thailand