Dual N-Channel MOSFET, 500 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Toshiba SSM6N43FU

RS tilauskoodi: 171-2409Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM6N43FU
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.52 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Width

1.25mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.23 nC @ 4 V

Height

0.9mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,052

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,064

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 500 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Toshiba SSM6N43FU

€ 0,052

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,064

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 500 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Toshiba SSM6N43FU
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.52 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.35V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Width

1.25mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.23 nC @ 4 V

Height

0.9mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja