Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T

RS tilauskoodi: 236-3582PTuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: SSM6N7002KFU,LF(T
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

US6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 33,60

€ 0,084 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 42,17

€ 0,105 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Valitse pakkaustyyppi

€ 33,60

€ 0,084 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 42,17

€ 0,105 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Toshiba Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
400 - 600€ 0,084€ 16,80
800 - 1000€ 0,083€ 16,60
1200 - 2800€ 0,078€ 15,60
3000+€ 0,071€ 14,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

US6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja