Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002BK

RS tilauskoodi: 171-2411Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: T2N7002BK
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.75 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

1 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.39 nC @ 4.5 V

Height

0.9mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Alkuperämaa

Thailand

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,045

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,056

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002BK

€ 0,045

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,056

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002BK
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
3000 - 3000€ 0,045€ 135,00
6000 - 6000€ 0,043€ 129,00
9000+€ 0,041€ 123,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.75 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

1 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.39 nC @ 4.5 V

Height

0.9mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Alkuperämaa

Thailand