Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Height
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
Thailand
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,045
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,056
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,045
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,056
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,045 | € 135,00 |
6000 - 6000 | € 0,043 | € 129,00 |
9000+ | € 0,041 | € 123,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Height
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
Thailand