Toshiba 2Gbit FRAM Memory 63-Pin TFBGA, TC58BVG1S3HBAI4

RS tilauskoodi: 796-5339PTuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TC58BVG1S3HBAI4
brand-logo
Näytä kaikki FRAM Memory tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Memory Size

2Gbit

Organisation

2048 x 8 bit

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

40µs

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

TFBGA

Pin Count

63

Dimensions

11 x 9mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Words

2048

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Bits per Word

8

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Tuotetiedot

BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba

BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).

BENAND™ SLC NAND Flash Memory

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,35

kpl (toimitus tarjottimella) (ilman ALV)

€ 2,91

kpl (toimitus tarjottimella) (Sis ALV:n)

Toshiba 2Gbit FRAM Memory 63-Pin TFBGA, TC58BVG1S3HBAI4
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,35

kpl (toimitus tarjottimella) (ilman ALV)

€ 2,91

kpl (toimitus tarjottimella) (Sis ALV:n)

Toshiba 2Gbit FRAM Memory 63-Pin TFBGA, TC58BVG1S3HBAI4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Memory Size

2Gbit

Organisation

2048 x 8 bit

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

40µs

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

TFBGA

Pin Count

63

Dimensions

11 x 9mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Number of Words

2048

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Number of Bits per Word

8

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Tuotetiedot

BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba

BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).

BENAND™ SLC NAND Flash Memory

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja