Toshiba 2Gbit FRAM Memory 63-Pin TFBGA, TC58BVG1S3HBAI4
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMemory Size
2Gbit
Organisation
2048 x 8 bit
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
40µs
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TFBGA
Pin Count
63
Dimensions
11 x 9mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Bits per Word
8
Number of Words
2048
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).
BENAND™ SLC NAND Flash Memory
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,35
Each (In a Tray of 210) (ilman ALV)
€ 2,914
Each (In a Tray of 210) (Sis ALV:n)
210
€ 2,35
Each (In a Tray of 210) (ilman ALV)
€ 2,914
Each (In a Tray of 210) (Sis ALV:n)
210
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMemory Size
2Gbit
Organisation
2048 x 8 bit
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
40µs
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TFBGA
Pin Count
63
Dimensions
11 x 9mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Bits per Word
8
Number of Words
2048
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).
BENAND™ SLC NAND Flash Memory
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.