Toshiba NAND 2 GByte Parallel Flash Memory 48-Pin TSOP, TC58NVG1S3ETAI0

RS tilauskoodi: 752-2298Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TC58NVG1S3ETAI0
brand-logo
Näytä kaikki Flash Memory tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Memory Size

2 GByte

Interface Type

Parallel

Package Type

TSOP

Pin Count

48

Organisation

256M x 8

Mounting Type

Surface Mount

Cell Type

NAND

Minimum Operating Supply Voltage

-0.6 V

Maximum Operating Supply Voltage

4.6 V

Block Organisation

Symmetrical

Dimensions

18.4 x 12.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Random Access Time

25ns

Number of Words

256M

Number of Bits per Word

8bit

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Tuotetiedot

Flash Memory, Toshiba

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,20

kpl (ilman ALV)

€ 12,80

kpl (Sis ALV:n)

Toshiba NAND 2 GByte Parallel Flash Memory 48-Pin TSOP, TC58NVG1S3ETAI0
Valitse pakkaustyyppi

€ 10,20

kpl (ilman ALV)

€ 12,80

kpl (Sis ALV:n)

Toshiba NAND 2 GByte Parallel Flash Memory 48-Pin TSOP, TC58NVG1S3ETAI0
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Memory Size

2 GByte

Interface Type

Parallel

Package Type

TSOP

Pin Count

48

Organisation

256M x 8

Mounting Type

Surface Mount

Cell Type

NAND

Minimum Operating Supply Voltage

-0.6 V

Maximum Operating Supply Voltage

4.6 V

Block Organisation

Symmetrical

Dimensions

18.4 x 12.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Random Access Time

25ns

Number of Words

256M

Number of Bits per Word

8bit

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Tuotetiedot

Flash Memory, Toshiba

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja