Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S

RS tilauskoodi: 206-9726Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK090N65Z,S1F(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

TK090N65Z

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 19,20

€ 9,60 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 24,10

€ 12,048 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S

2

Pakkauskoko 2
2€ 19,20
4€ 38,40
6€ 57,60
8€ 76,80
10€ 75,00
12€ 90,00
14€ 105,00
16€ 120,00
18€ 135,00
20€ 150,00
22€ 165,00
24€ 180,00
26€ 195,00
28€ 210,00
30€ 204,00

€ 19,20

€ 9,60 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 24,10

€ 12,048 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TK090N65Z Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK090N65Z,S1F(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2

Pakkauskoko 2
2€ 19,20
4€ 38,40
6€ 57,60
8€ 76,80
10€ 75,00
12€ 90,00
14€ 105,00
16€ 120,00
18€ 135,00
20€ 150,00
22€ 165,00
24€ 180,00
26€ 195,00
28€ 210,00
30€ 204,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 9,60€ 19,20
10 - 28€ 7,50€ 15,00
30+€ 6,80€ 13,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

TK090N65Z

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja