Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,20
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,016
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
4
€ 3,20
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,016
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
4
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
4 - 16 | € 3,20 | € 12,80 |
20 - 76 | € 2,65 | € 10,60 |
80 - 196 | € 2,35 | € 9,40 |
200 - 396 | € 2,20 | € 8,80 |
400+ | € 2,15 | € 8,60 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot