N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK100A06N1,S4X(S

RS tilauskoodi: 827-6097Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK100A06N1,S4X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Height

15mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,20

1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,016

1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK100A06N1,S4X(S
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,20

1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,016

1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK100A06N1,S4X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
4 - 16€ 3,20€ 12,80
20 - 76€ 2,65€ 10,60
80 - 196€ 2,35€ 9,40
200 - 396€ 2,20€ 8,80
400+€ 2,15€ 8,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Height

15mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja