N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E06N1,S1X(S

RS tilauskoodi: 125-0528Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK100E06N1,S1X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

263 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

U-MOSVIII-H

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

255 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,25

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,79

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E06N1,S1X(S

5

Pakkauskoko 5
5€ 11,25
10€ 22,50
15€ 33,75
20€ 45,00
25€ 51,25
30€ 61,50
35€ 71,75
40€ 82,00
45€ 92,25
50€ 92,50
55€ 101,75
60€ 111,00
65€ 120,25
70€ 129,50
75€ 138,75

€ 2,25

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,79

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E06N1,S1X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 11,25
10€ 22,50
15€ 33,75
20€ 45,00
25€ 51,25
30€ 61,50
35€ 71,75
40€ 82,00
45€ 92,25
50€ 92,50
55€ 101,75
60€ 111,00
65€ 120,25
70€ 129,50
75€ 138,75

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 2,25€ 11,25
25 - 45€ 2,05€ 10,25
50 - 120€ 1,85€ 9,25
125+€ 1,75€ 8,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

263 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

U-MOSVIII-H

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

255 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja