Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK12P60W,RVQ(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
340 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 200,00
€ 1,60 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 016,00
€ 2,008 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 3 200,00
€ 1,60 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 016,00
€ 2,008 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
340 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.3mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.