N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O

RS tilauskoodi: 133-2798Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK15S04N1L,LQ(O
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

U-MOSVIII-H

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

5.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,25

€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 7,84

€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,25

€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 7,84

€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15 A, 40 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK15S04N1L,LQ(O
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 1,25€ 6,25
25 - 45€ 1,10€ 5,50
50 - 245€ 1,05€ 5,25
250 - 495€ 1,00€ 5,00
500+€ 0,979€ 4,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

U-MOSVIII-H

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

5.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.3mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja