Toshiba TK N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN TK20J50D(F)
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
40.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
4.8mm
Height
19mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2,75
€ 2,75 kpl (ilman ALV)
€ 3,45
€ 3,45 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 2,75
€ 2,75 kpl (ilman ALV)
€ 3,45
€ 3,45 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 24 | € 2,75 |
| 25 - 99 | € 1,95 |
| 100+ | € 1,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
40.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
4.8mm
Height
19mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.