Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK25A60X,S5X(M
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 13,00
€ 2,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 3,263 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 13,00
€ 2,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 3,263 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,60 | € 13,00 |
| 25 - 45 | € 2,20 | € 11,00 |
| 50+ | € 2,05 | € 10,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.