N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1

RS tilauskoodi: 796-5083Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK30E06N1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

43 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Height

15.1mm

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,946

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,173

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,73
10€ 9,46
15€ 14,19
20€ 18,92
25€ 23,65
30€ 28,38
35€ 33,11
40€ 37,84
45€ 42,57
50€ 43,00
55€ 47,30
60€ 51,60
65€ 55,90
70€ 60,20
75€ 64,50

€ 0,946

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,173

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 4,73
10€ 9,46
15€ 14,19
20€ 18,92
25€ 23,65
30€ 28,38
35€ 33,11
40€ 37,84
45€ 42,57
50€ 43,00
55€ 47,30
60€ 51,60
65€ 55,90
70€ 60,20
75€ 64,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 0,946€ 4,73
50 - 120€ 0,86€ 4,30
125 - 245€ 0,816€ 4,08
250 - 495€ 0,743€ 3,72
500+€ 0,681€ 3,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

43 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

53 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Height

15.1mm

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja