Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O

RS tilauskoodi: 896-2331Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK31J60W5,S1VQ(O
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 2,85

€ 2,85 kpl (ilman ALV)

€ 3,58

€ 3,58 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O

1

Pakkauskoko 1
1€ 2,85
2€ 5,70
3€ 8,55
4€ 11,40
5€ 14,25
6€ 17,10
7€ 19,95
8€ 22,80
9€ 25,65
10€ 18,50
11€ 20,35
12€ 22,20
13€ 24,05
14€ 25,90
15€ 27,75

€ 2,85

€ 2,85 kpl (ilman ALV)

€ 3,58

€ 3,58 kpl (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK31J60W5,S1VQ(O

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1€ 2,85
2€ 5,70
3€ 8,55
4€ 11,40
5€ 14,25
6€ 17,10
7€ 19,95
8€ 22,80
9€ 25,65
10€ 18,50
11€ 20,35
12€ 22,20
13€ 24,05
14€ 25,90
15€ 27,75

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 2,85
10 - 19€ 1,85
20 - 39€ 1,80
40 - 79€ 1,75
80+€ 1,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

105 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja