Toshiba TK N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK58E06N1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
105 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,00
€ 1,40 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,78
€ 1,757 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 7,00
€ 1,40 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,78
€ 1,757 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
105 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.