N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S

RS tilauskoodi: 125-0585Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK62N60W5,S1VF(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

400 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

205 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 12,50

kpl (ilman ALV)

€ 15,69

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S

€ 12,50

kpl (ilman ALV)

€ 15,69

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 12,50
5 - 9€ 11,20
10+€ 10,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

400 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

205 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja