Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS TK72A08N1,S4X(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,25
€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,84
€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 6,25
€ 1,25 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,84
€ 1,569 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,25 | € 6,25 |
| 25 - 95 | € 1,10 | € 5,50 |
| 100 - 245 | € 0,979 | € 4,90 |
| 250 - 495 | € 0,933 | € 4,66 |
| 500+ | € 0,907 | € 4,54 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Height
15mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.