N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S

RS tilauskoodi: 133-2804Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK8P60W5,RVQ(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11,50

€ 1,15 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,43

€ 1,443 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S

10

Pakkauskoko 10
10€ 11,50
20€ 23,00
30€ 34,50
40€ 46,00
50€ 57,50
60€ 69,00
70€ 80,50
80€ 92,00
90€ 103,50
100€ 115,00
110€ 126,50
120€ 138,00
130€ 149,50
140€ 161,00
150€ 172,50

€ 11,50

€ 1,15 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,43

€ 1,443 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK8P60W5,RVQ(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 11,50
20€ 23,00
30€ 34,50
40€ 46,00
50€ 57,50
60€ 69,00
70€ 80,50
80€ 92,00
90€ 103,50
100€ 115,00
110€ 126,50
120€ 138,00
130€ 149,50
140€ 161,00
150€ 172,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja