N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin SOP Toshiba TPH3300CNH

RS tilauskoodi: 171-2200Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TPH3300CNH
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

SOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

10.6 nC @ 10 V

Length

5mm

Height

0.95mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,506

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,627

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin SOP Toshiba TPH3300CNH

€ 0,506

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,627

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin SOP Toshiba TPH3300CNH
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

SOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

10.6 nC @ 10 V

Length

5mm

Height

0.95mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja