N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 8-Pin SOP Advanced Toshiba TPH8R80ANH
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOP Advanced
Series
TPH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
61 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,985
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,236
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 0,985
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,236
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOP Advanced
Series
TPH
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
61 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.