N-Channel MOSFET, 393 A, 30 V, 8-Pin SOP Toshiba TPHR6503PL

RS tilauskoodi: 171-2204Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TPHR6503PL
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

393 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

890 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

170 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Width

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.95mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,892

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,106

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 393 A, 30 V, 8-Pin SOP Toshiba TPHR6503PL

€ 0,892

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,106

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 393 A, 30 V, 8-Pin SOP Toshiba TPHR6503PL
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

393 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

890 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

170 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Width

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.95mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja